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參數資料
| 型號： | IRF7466 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=30V, Id=11A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 30V的，身份證\u003d 11A條） |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 233K |
| 代理商： | IRF7466 |
www.irf.com
1
3/25/01
IRF7466
SMPS MOSFET
HEXFET
Power MOSFET
Notes
through
are on page 8
Symbol
R
θ
JL
R
θ
JA
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
20
50
Units
Junction-to-Drain Lead
Junction-to-Ambient
°C/W
Thermal Resistance
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
DS
V
GS
Gate-to-Source Voltage
I
D
@ T
A
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
I
D
@ T
A
= 70°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
I
DM
Pulsed Drain Current
P
D
@T
A
= 25°C
Maximum Power Dissipation
P
D
@T
A
= 70°C
Maximum Power Dissipation
Linear Derating Factor 0.02 mW/°C
T
J
, T
STG
Junction and Storage Temperature Range
Parameter
Max.
30
Units
V
Drain-Source Voltage
± 20 V
11
9.0
90
2.5
1.6
A
W
W
-55 to + 150
°C
SO-8
Top View
8
1
2
3
4
5
6
7
D
D
D
D
G
S
A
S
S
A
V
DSS
30V
R
DS(on)
max(m
12.5@V
GS
= 10V
)
I
D
11A
PD- 93884C
Applications
l
High Frequency Isolated DC-DC
Converters with Synchronous Rectification
for Telecom and Industrial Use
l
High Frequency Buck Converters for
Computer Processor Power
Benefits
l
Ultra-Low Gate Impedance
l
Very Low R
DS(on)
l
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7467PBF | SMPS MOSFET |
| IRF7467 | Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=12mohm, Id=11A) |
| IRF7468 | Power MOSFET(Vdss=40V, Id=9.4A) |
| IRF7469 | Power MOSFET(Vdss=40V, Id=9.0A) |
| IRF7470 | Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)max=13mohm, Id=10A) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| IRF7466TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 10A 15mOhm 16nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF7466TRPBF-BLK | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC - Bulk 制造商:International Rectifier 功能描述:International Rectifier IRF7466TRPBF-BLK MOSFETs |
| IRF7467 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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