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參數資料
| 型號： | IRF7476PBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 12V , RDS(on) max = 8.0mヘ@VGS = 4.5V , ID = 15A ) |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 12V的，的RDS（on）最大值@ VGS電壓\u003d 4.5V時，身份證\u003d 15A條\u003d 800萬ヘ） |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 172K |
| 代理商： | IRF7476PBF |
www.irf.com
1
IRF7476PbF
HEXFET Power MOSFET
Notes
through are on page 8
Symbol
R
θ
JL
R
θ
JA
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
20
50
Units
Junction-to-Drain Lead
Junction-to-Ambient
°C/W
Thermal Resistance
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
DS
V
GS
Gate-to-Source Voltage
I
D
@ T
A
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
I
D
@ T
A
= 70°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
I
DM
Pulsed Drain Current
P
D
@T
A
= 25°C
Maximum Power Dissipation
P
D
@T
A
= 70°C
Maximum Power Dissipation
Linear Derating Factor 0.02 W/°C
T
J
, T
STG
Junction and Storage Temperature Range
Parameter
Max.
12
Units
V
Drain-Source Voltage
±12 V
15
12
120
2.5
1.6
A
W
W
-55 to + 150
°C
SO-8
Top View
8
1
2
3
4
5
6
7
D
D
D
D
G
S
A
S
S
A
V
DSS
12V
R
DS(on)
max
8.0
m
@V
GS
= 4.5V
I
D
15A
Applications
High Frequency 3.3V and 5V input Point-
of-Load Synchronous Buck Converters for
Netcom and Computing Applications.
Power Management for Netcom,
Computing and Portable Applications.
Lead-Free
Benefits
Ultra-Low Gate Impedance
Very Low R
DS(on)
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| IRF7495 | HEXFET Power MOSFET |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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