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參數(shù)資料
型號: IRF7807VD2TRPBF
廠商: International Rectifier
文件頁數(shù): 1/9頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
產(chǎn)品目錄繪圖: IR Hexfet 8-SOIC
標準包裝: 1
系列: FETKY™
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 二極管(隔離式)
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 8.3A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 25 毫歐 @ 7A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
功率 - 最大: 2.5W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝: 8-SO
包裝: 標準包裝
其它名稱: IRF7807VD2PBFDKR
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