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參數資料
型號: IRF7811WGTRPBF
廠商: International Rectifier
文件頁數: 5/6頁
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描述: MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
產品目錄繪圖: IR Hexfet 8-SOIC
標準包裝: 1
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 14A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 12 毫歐 @ 15A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 33nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 2335pF @ 16V
功率 - 最大: 3.1W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝: 8-SO
包裝: 標準包裝
其它名稱: IRF7811WGTRPBFDKR
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