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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRF820A |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | TRI N RECP F FLG 0-12 |
| 中文描述： | 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 500V及的Rds（on）最大值\u003d 3.0ohm，身份證\u003d包2.5a） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/8頁(yè) |
| 文件大小： | 100K |
| 代理商： | IRF820A |
www.irf.com
1
5/8/00
IRF820A
HEXFET
Power MOSFET
SMPS MOSFET
l
Switch Mode Power Supply (SMPS)
l
Uninterruptable Power Supply
l
High speed power switching
Benefits
l
Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
l
Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
l
Fully Characterized Capacitance and
Avalanche Voltage and Current
l
Effective C
OSS
specified (See AN 1001)
Applications
V
DSS
500V
R
DS
(on) max
3.0
I
D
2.5A
Typical SMPS Topologies:
l
Two transistor Forward
l
Half Bridge and Full Bridge
Parameter
Max.
2.5
1.6
10
50
0.4
± 30
3.4
Units
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torqe, 6-32 or M3 screw 10 lbfin (1.1Nm)
A
W
W/°C
V
V/ns
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
-55 to + 150
300 (1.6mm from case )
°C
Absolute Maximum Ratings
S
D
G
PD- 93773A
Notes
through
are on page 8
TO-220AB
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF820S | Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.5A) |
| IRF830S | Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=1.5ohm, Id=4.5A) |
| IRF9410 | Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.030ohm) |
| IRF9956 | Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.10ohm) |
| IRFAF30 | HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF820AL | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 2.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF820ALPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 2.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF820APBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 2.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF820AS | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF820ASPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 2.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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