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參數資料
| 型號： | IRF830-009 |
| 廠商： | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 4.5 A, 500 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 42K |
| 代理商： | IRF830-009 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF9Z24FPBF | 60 V, 0.28 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| IRF9Z24F | 60 V, 0.28 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| IRFI820G-002PBF | 2.1 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| IRFI820G-003PBF | 2.1 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| IRFI820G-003 | 2.1 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF8301MTRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:30V DIRECTFET POWER MOSFET - Tape and Reel 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSF N CH 30V 34A DIRECTFET MT 制造商:International Rectifier 功能描述:N-Ch 30V 1.3mOhm Ultra-Low RDSon |
| IRF8302MTR1PBF | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel HEXFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF8302MTRPBF | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel HEXFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF8304MTR1PBF | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel HEXFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF8304MTRPBF | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel HEXFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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