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參數資料
型號: IRF831FI
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220VAR
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 450V五(巴西)直| 3A條(丁)|對220VAR
文件頁數: 4/10頁
文件大小: 190K
代理商: IRF831FI
IRF830AS/L
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
4
8
12
16
20
24
0
4
8
12
16
20
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
I =
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
13
5.0A
V
= 100V
DS
V
= 250V
DS
V
= 400V
DS
0.1
1
10
100
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 150 C
0.1
1
10
100
10
100
1000
10000
BY R
DS(on)
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
Single Pulse
T
T
= 150°
= 25°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
10us
100us
1ms
10ms
1
10
100
1000
10000
1
10
100
1000
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
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相關PDF資料
PDF描述
IRF832FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-220AB
IRF833FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-220AB
IRF830 PowerMOS transistor Avalanche energy rated
IRF830 N - CHANNEL 500V - 1.35ohm - 4.5A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
IRF830 POWER MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
IRF831R 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述:
IRF832 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 500V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220
IRF8327STR1PBF 功能描述:MOSFET 30V N-Channel HEXFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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IRF832FI 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-220AB
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