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參數資料
型號: IRF832FI
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-220AB
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 500V五(巴西)直| 2.5AI(四)| TO - 220AB現有
文件頁數: 9/10頁
文件大小: 190K
代理商: IRF832FI
IRF830AS/L
www.irf.com
9
TO-262
Part Marking Information
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TO-262 Outline
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相關PDF資料
PDF描述
IRF833FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-220AB
IRF830 PowerMOS transistor Avalanche energy rated
IRF830 N - CHANNEL 500V - 1.35ohm - 4.5A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
IRF830 POWER MOSFET
IRF830 4.5A, 500V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
IRF832R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB
IRF833 制造商:n/a 功能描述:IRF833
IRF833FI 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-220AB
IRF833R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB
IRF840 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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