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參數資料
| 型號： | IRF840F |
| 英文描述： | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS(188.09 k) |
| 中文描述： | ? -通道增強型功率MOS晶體管（188.09十一） |
| 文件頁數： | 6/10頁 |
| 文件大小： | 129K |
| 代理商： | IRF840F |
IRF840AS/L
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
-V
D D
DRIVER
A
15V
20V
Fig 12d.
Typical Drain-to-Source Voltage
Vs. Avalanche Current
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
IAV , Avalanche Current ( A)
540
550
560
570
580
590
600
610
VD
25
50
75
100
125
150
0
200
400
600
800
1000
1200
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
ID
3.6A
5.1A
8.0A
TOP
BOTTOM
0.0
1.0
2.0
7.0
8.0
IAV , Avalanche Current ( A)
520
540
560
580
600
VD
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF840LC | |
| IRF841F | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS(188.09 k) |
| IRF842FI | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB |
| IRF843FI | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB |
| IRF840 | PowerMOS transistor Avalanche energy rated |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF840FI | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-220VAR |
| IRF840FP | 制造商:SUNTAC 制造商全稱:SUNTAC 功能描述:POWER MOSFET |
| IRF840I | 制造商:A-POWER 制造商全稱:Advanced Power Electronics Corp. 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| IRF840L | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF840LC | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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