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參數資料
| 型號： | IRF9242 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-204AA |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| P通道| 200伏五（巴西）直| 9A條（丁）|對204AA |
| 文件頁數： | 4/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 400K |
| 代理商： | IRF9242 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF9243 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-204AA |
| IRF9240SM | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 8A I(D) | LLCC |
| IRF9240SMD | P-Channel |
| IRF9241 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-204AA |
| IRF9240 | P-Channel Power MOSFET(Vdss:-200V,Id(cont):-11A,Vdgr:-200V)(P溝道功率MOS場效應管(Vdss:-200V,Id(cont):-11A,Vdgr:-200V)) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF9243 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:P-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRF9310PBF | 功能描述:MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 4.6mOhms 58nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF9310TRL | 制造商:INTRSL 功能描述: |
| IRF9310TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT P-Ch -30V -20A 4.6mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF9317PBF | 功能描述:MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 6.6mOhms 31nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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