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參數(shù)資料
| 型號： | IRF9540RF1S9540SM |
| 英文描述： | 19A 100V 0.200 Ohm P-Channel Power MOSFETs(100.75 k) |
| 中文描述： | 第19A 100V的0.200歐姆P溝道功率MOSFET（100.75十一） |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 42K |
| 代理商： | IRF9540RF1S9540SM |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF9541 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-220AB |
| IRF9542 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-220AB |
| IRFP143 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-247AC |
| IRFP341 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247AC |
| IRFP343 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 8.4A I(D) | TO-247AC |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF9540S | 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 19 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF9540SPBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 19 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF9540STRL | 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 19 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF9540STRLPBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 19 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF9540STRR | 功能描述:MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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