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參數(shù)資料
型號(hào): IRF9610SPBF
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數(shù): 3/10頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 1.8A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 3 歐姆 @ 900mA,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 170pF @ 25V
功率 - 最大: 3W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝: D2PAK
包裝: 管件
其它名稱: IRF9610SPBFCT
IRF9610SPBFCT-ND
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