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參數資料
| 型號： | IRF9642 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-220AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| P通道| 200伏五（巴西）直| 9A條（丁）| TO - 220AB現有 |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 453K |
| 代理商： | IRF9642 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF9611 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 1A I(D) | TO-220AB |
| IRF9621 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB |
| IRF9623 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 1.5A I(D) | TO-220AB |
| IRF9631 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB |
| IRF9633 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF9643 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-220AB |
| IRF9910 | 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 陣列 系列:HEXFET® 產品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標準包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道（雙） FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| IRF9910HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 10A/12A 8-Pin SOIC |
| IRF9910PBF | 功能描述:MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 13.4mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF9910PBF_08 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Dual SO-8 MOSFET for POL Low Gate Charge |
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