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參數(shù)資料
| 型號： | IRF9Z24-017PBF |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 11 A, 60 V, 0.28 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 68K |
| 代理商： | IRF9Z24-017PBF |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFIBF30G-004PBF | 1.9 A, 900 V, 3.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| IDT7202SA20P | 1K X 9 OTHER FIFO, 20 ns, PDIP28 |
| IDT7202SA35J | 1K X 9 OTHER FIFO, 35 ns, PQCC32 |
| IDT7202SA35L | 1K X 9 OTHER FIFO, 35 ns, CQCC32 |
| IDT7202SA50SO | 1K X 9 OTHER FIFO, 50 ns, PDSO28 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF9Z24L | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.28ohm, Id=-11A) |
| IRF9Z24LPBF | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRF9Z24N | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P TO-220 |
| IRF9Z24NHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
| IRF9Z24NL | 功能描述:MOSFET P-CH 55V 12A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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