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參數資料
| 型號： | IRF9Z24 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | POWER MOSFET |
| 中文描述： | 功率MOSFET |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 174K |
| 代理商： | IRF9Z24 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF9Z24NL | Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-12A) |
| IRF9Z24NS | Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-12A) |
| IRFAC40 | Multipole Connector |
| IRFAC42 | 6.2A and 5.4A, 600V, 1.2 and 1.6 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
| IRFAE40 | REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF9Z24L | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.28ohm, Id=-11A) |
| IRF9Z24LPBF | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRF9Z24N | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P TO-220 |
| IRF9Z24NHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
| IRF9Z24NL | 功能描述:MOSFET P-CH 55V 12A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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