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參數資料
| 型號： | IRFB3307 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件頁數： | 1/11頁 |
| 文件大小： | 412K |
| 代理商： | IRFB3307 |
11/04/04
Benefits
Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt
Ruggedness
Fully Characterized Capacitance and Avalanche
SOA
Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability
www.irf.com
1
D
2
Pak
IRFS3307
TO-220AB
IRFB3307
TO-262
IRFSL3307
IRFB3307
IRFS3307
IRFSL3307
HEXFET Power MOSFET
Applications
High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS
Uninterruptible Power Supply
High Speed Power Switching
Hard Switched and High Frequency Circuits
S
D
G
S
D
G
S
D
G
S
D
G
V
DSS
R
DS(on)
typ.
max.
I
D
75V
5.0m
6.3m
130A
Absolute Maximum Ratings
Symbol
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
Parameter
Units
A
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Maximum Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
(1.6mm from case)
Mounting torque, 6-32 or M3 screw
W
W/°C
V
V/ns
°C
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
Avalanche Characteristics
E
AS (Thermally limited)
I
AR
E
AR
Thermal Resistance
Symbol
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
R
θ
JA
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
mJ
A
mJ
Parameter
Typ.
–––
0.50
–––
–––
Max.
0.61
–––
62
40
Units
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat Greased Surface , TO-220
Junction-to-Ambient, TO-220
Junction-to-Ambient (PCB Mount) , D
2
Pak
°C/W
300
Max.
130
91
510
250
1.6
270
See Fig. 14, 15, 16a, 16b
11
-55 to + 175
± 20
10lb in (1.1N m)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFSL3507 | HEXFET Power MOSFET |
| IRFS3507 | HEXFET Power MOSFET |
| IRFB3507 | HEXFET Power MOSFET |
| IRFSL4710 | Power MOSFET(Vdss=100v, Rds(on)max=0.014ohm, Id=75A) |
| IRFS4710 | Power MOSFET(Vdss=100v, Rds(on)max=0.014ohm, Id=75A) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFB3307HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 75V 130A 3PIN TO-220AB - Bulk |
| IRFB3307PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 130A 6.3mOhm 120nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFB3307ZGPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 120A 5.8mOhm 79nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFB3307ZPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 120A 5.8mOhm 79nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFB33N15D | 功能描述:MOSFET N-CH 150V 33A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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