欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數資料
型號: IRFBC20STRL
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 2.2A I(D) | TO-263AB
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 600V的五(巴西)直| 2.2AI(四)|對263AB
文件頁數: 10/10頁
文件大小: 391K
代理商: IRFBC20STRL
IRFBC20S/L
Tape & Reel Information
D
2
Pak
WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, Tel: (310) 322 3331
EUROPEAN HEADQUARTERS:
Hurst Green, Oxted, Surrey RH8 9BB, UK Tel: ++ 44 1883 732020
IR CANADA:
7321 Victoria Park Ave., Suite 201, Markham, Ontario L3R 2Z8, Tel: (905) 475 1897
IR GERMANY:
Saalburgstrasse 157, 61350 Bad Homburg Tel: ++ 49 6172 96590
IR ITALY:
Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino Tel: ++ 39 11 451 0111
IR FAR EAST:
K&H Bldg., 2F, 30-4 Nishi-Ikebukuro 3-Chome, Toshima-Ku, Tokyo Japan 171 Tel: 81 3 3983 0086
IR SOUTHEAST ASIA:
315 Outram Road, #10-02 Tan Boon Liat Building, Singapore 0316 Tel: 65 221 8371
http://www.irf.com/
Data and specifications subject to change without notice.
7/97
3
4
4
TRR
FE ED DIRECTION
1.85 (.073)
1.65 (.065)
1.60 (.063)
1.50 (.059)
4.10 (.161)
3.90 (.153)
TRL
FEED DIRECTION
10.90 (.429)
10.70 (.421)
16.10 (.634)
15.90 (.626)
1.75 (.069)
1.25 (.049)
11.60 (.457)
11.40 (.449)
15.42 (.609)
15.22 (.601)
4.72 (.136)
4.52 (.178)
24.30 (.957)
23.90 (.941)
0.368 (.0145)
0.342 (.0135)
1.60 (.063)
1.50 (.059)
13.50 (.532)
12.80 (.504)
330.00
(14.173)
M AX.
27.40 (1.079)
23.90 (.941)
60.00 (2.362)
MIN.
30.40 (1.197)
MAX.
26.40 (1.039)
24.40 (.961)
NOT ES :
1. CO MFOR MS TO EIA-418.
2. CO NTRO LLIN G DIM EN SION : M ILLIM ETER .
3. DIM ENSIO N M EASURED @ HUB.
4. INC LU DES FLAN GE DISTORTION @ OUTER ED GE.
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003
相關PDF資料
PDF描述
IRFBC20STRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 2.2A I(D) | TO-263AB
IRFBC30AL 600V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package
IRFBC30ASTRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 3.6A I(D) | TO-252AA
IRFBC30ASTRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 3.6A I(D) | TO-252AA
IRFBC30STRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 3.6A I(D) | TO-263AB
相關代理商/技術參數
參數描述
IRFBC20STRLPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFBC20STRR 功能描述:MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFBC30 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFBC30A 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFBC30AL 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
主站蜘蛛池模板: 广东省| 安达市| 海安县| 米林县| 上犹县| 炎陵县| 江川县| 阳东县| 龙江县| 开化县| 策勒县| 綦江县| 朔州市| 陕西省| 长顺县| 金湖县| 改则县| 莱阳市| 韩城市| 陇西县| 齐河县| 台南市| 三河市| 巢湖市| 烟台市| 罗田县| 会同县| 中江县| 西和县| 习水县| 甘肃省| 营山县| 黎川县| 浦城县| 神池县| 宁强县| 双鸭山市| 锡林郭勒盟| 兴国县| 平邑县| 广德县|