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參數資料
型號: IRFBC30ASTRR
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 3.6A I(D) | TO-252AA
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 600V的五(巴西)直| 3.6AI(四)|對252AA
文件頁數: 6/10頁
文件大小: 391K
代理商: IRFBC30ASTRR
IRFBC20S/L
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相關PDF資料
PDF描述
IRFBC30STRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 3.6A I(D) | TO-263AB
IRFBC30STRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 3.6A I(D) | TO-263AB
IRFBC40ASTRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 6.2A I(D) | TO-263AB
IRFBC40ASTRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 6.2A I(D) | TO-263AB
IRFBC40LC TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 43A I(D) | TO-220VAR
相關代理商/技術參數
參數描述
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IRFBC30LPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFBC30PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFBC30S 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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