型號: | IRFD113R |
元件分類: | MOSFETs |
英文描述: | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
中文描述: | 30V的N溝道的PowerTrench MOSFET的 |
文件頁數: | 1/1頁 |
文件大小: | 40K |
代理商: | IRFD113R |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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IRFD120R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 1.3A I(D) | TO-250VAR |
IRFD121R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 1.3A I(D) | TO-250VAR |
IRFD122R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 1.1A I(D) | TO-250VAR |
IRFD123R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 1.1A I(D) | TO-250VAR |
IRFD211R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 600MA I(D) | TO-250VAR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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IRFD120 | 功能描述:MOSFET 100V Single N-Channel HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRFD120PBF | 功能描述:MOSFET 100V Single N-Channel HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRFD120R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 1.3A I(D) | TO-250VAR |
IRFD120S2497 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
IRFD121 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |