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參數(shù)資料
型號: IRFD211
廠商: HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 600 mA, 150 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
文件頁數(shù): 1/5頁
文件大小: 171K
代理商: IRFD211
相關PDF資料
PDF描述
IRFI644G 7.9 A, 250 V, 0.28 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
IRFL214 790 mA, 250 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
IRFM014AD84Z 2.8 A, 60 V, 0.14 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
IRFP054PBF 70 A, 60 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AC
IRFP140 31 A, 100 V, 0.077 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AC
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRFD211R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 600MA I(D) | TO-250VAR
IRFD212 制造商:HARRIS 制造商全稱:HARRIS 功能描述:0.6A AND 0.45A, 150V AND 200V, 1.5 AND 2.4 OHM, N-CHANNEL POWER MOSFETS
IRFD212R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 450MA I(D) | TO-250VAR
IRFD213 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 0.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFD213R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 450MA I(D) | TO-250VAR
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