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參數資料
| 型號： | IRFD212 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 450MA I(D) | TO-250VAR |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 200伏五（巴西）直| 450MA（丁）|對250VAR |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 35K |
| 代理商： | IRFD212 |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFD222 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 700MA I(D) | TO-250AA |
| IRFD2Z0 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 320MA I(D) | TO-250VAR |
| IRFD2Z2 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 300MA I(D) | TO-250VAR |
| IRFD311 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 400MA I(D) | TO-250VAR |
| IRFD312 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 300MA I(D) | TO-250VAR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFD212R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 450MA I(D) | TO-250VAR |
| IRFD213 | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 0.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFD213R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 450MA I(D) | TO-250VAR |
| IRFD214 | 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 0.45 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFD214PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 0.45 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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