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您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄360936 > IRFD213 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 450MA I(D) | TO-250VAR PDF資料下載

參數資料

型號：	IRFD213
英文描述：	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 450MA I(D) \| TO-250VAR
中文描述：	晶體管\| MOSFET的\| N溝道\| 150伏五（巴西）直\| 450MA（丁）\|對250VAR
文件頁數：	1/1頁
文件大小：	49K
代理商：	IRFD213

相關PDF資料	PDF描述
IRFD221	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 800MA I(D) \| TO-250AA
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IRFD2Z1	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 320MA I(D) \| TO-250VAR
IRFD2Z3	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 300MA I(D) \| TO-250VAR
IRFU9012	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 50V V(BR)DSS \| 4.5A I(D) \| TO-251AA

相關代理商/技術參數	參數描述
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IRFD214	功能描述:MOSFET N-Chan 250V 0.45 Amp RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFD214PBF	功能描述:MOSFET N-Chan 250V 0.45 Amp RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFD220	功能描述:MOSFET N-Chan 200V 0.8 Amp RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFD220119	制造商:Harris Corporation 功能描述:

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