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參數資料

型號：	IRFD223R
英文描述：	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 700MA I(D) \| TO-250VAR
中文描述：	晶體管\| MOSFET的\| N溝道\| 150伏五（巴西）直\| 700mA的一（d）\|對250VAR
文件頁數：	1/1頁
文件大小：	40K
代理商：	IRFD223R

相關PDF資料	PDF描述
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IRFF211R	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 2.2A I(D) \| TO-205AF
IRFF213R	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 1.8A I(D) \| TO-205AF
IRFF221R	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 3.5A I(D) \| TO-205AF

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IRFD224	功能描述:MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP RoHS:否類別:分離式半導體產品 >> FET - 單系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFD224PBF	功能描述:MOSFET N-Chan 250V 0.63 Amp RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFD2Z0	制造商:Harris Corporation 功能描述:
IRFD2Z1	制造商:未知廠家制造商全稱:未知廠家功能描述:TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 320MA I(D) \| TO-250VAR
IRFD2Z2	制造商:未知廠家制造商全稱:未知廠家功能描述:TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 300MA I(D) \| TO-250VAR

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