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參數資料
型號: IRFD323R
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 400MA I(D) | TO-250VAR
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 350V五(巴西)直| 400mA的一(d)|對250VAR
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代理商: IRFD323R
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相關PDF資料
PDF描述
IRFF210R TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 2.2A I(D) | TO-205AF
IRFF212R TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 1.8A I(D) | TO-205AF
IRFF220R TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-205AF
IRFF222R TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-205AF
IRFF230R TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-205AF
相關代理商/技術參數
參數描述
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IRFD420PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 0.37 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFD9010 功能描述:MOSFET P-Chan 50V 1.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFD9010PBF 功能描述:MOSFET P-Chan 50V 1.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFD9012 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 910MA I(D) | DIP
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