- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄377508 > IRFD9113 (Harris Corporation) -0.6A and -0.7A, -80V and -100V, 1.2 and 1.6 Ohm, P-Channel Power MOSFETs PDF資料下載
參數資料
| 型號： | IRFD9113 |
| 廠商： | Harris Corporation |
| 英文描述： | -0.6A and -0.7A, -80V and -100V, 1.2 and 1.6 Ohm, P-Channel Power MOSFETs |
| 中文描述： | - 0.6A的和- 0.7A的，- 80V和- 100V的，1.2和1.6歐姆，P溝道功率MOSFET |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 218K |
| 代理商： | IRFD9113 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFDC20 | Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=0.32A) |
| IRFE210 | HEXFET Transistor(HEXFET 晶體管) |
| IRFE9210 | REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18) |
| IRFF024 | 60V, N-CHANNEL |
| IRFI064 | TRANSISTOR N-CHANNEL(Vdss=60V, Rds(on)=0.017ohm, Id=45A*) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFD9120 | 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 1.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFD9120PBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 1.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFD9120R4602 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRFD9123 | 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 1.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFD9123PBF | 功能描述:MOSFET 60 Volt 1.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。