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參數資料
| 型號： | IRFE024 |
| 英文描述： | N-Channel Power MOSFET(Vdss:60V,Id(cont):6.7A,Rds(on):0.15Ω)(N溝道功率MOS場效應管(Vdss:60V,Id(cont):6.7A,Rds(on):0.15Ω)) |
| 中文描述： | N溝道功率MOSFET（減振鋼板基本：60V的，身份證（續）：6.7A時，RDS（上）：0.15Ω）（不適用馬鞍山溝道功率場效應管（減振鋼板基本：60V的，身份證（續）：6.7A時，RDS（對）：0.15Ω）） |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 23K |
| 代理商： | IRFE024 |
IRFE024
02/00
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
http://www.semelab.co.ukV
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
Gate – Source Voltage
Continuous Drain Current
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current
1
Power Dissipation @ T
case
= 25°C
Linear Derating Factor
Single Pulse Avalanche Energy
2
Peak Diode Recovery
3
Operating and Storage Temperature Range
Surface Temperature ( for 5 sec).
(V
GS
= 10V , T
case
= 25°C)
(V
GS
= 10V , T
case
= 100°C)
E
AS
dv/dt
T
J
, T
stg
±20V
6.7A
4.2A
27A
14W
0.11W/°C
110mJ
5.5V/ns
-55 to +150°C
300°C
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm (inches)
N–CHANNEL
POWER MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
= 25°C unless otherwise stated)
FEATURES
SURFACE MOUNT
SMALL FOOTPRINT
HERMETICALLY SEALED
DYNAMIC dv/dt RATING
AVALANCHE ENERGY RATING
SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS
LIGHTWEIGHT
LCC4
Notes
1) Pulse Test: Pulse Width
￡
300
m
s,
d ￡
2%
2) @ V
DD
= 50V , L
3
570
m
H , R
G
= 25
W
, Peak I
L
= 14A , Starting T
J
= 25°C
3) @ I
SD
￡
14A , di/dt
￡
140A/
m
s , V
DD
￡
BV
DSS
, T
J
￡
150°C , Suggested R
G
= 7.5
W
V
DSS
I
D(cont)
R
DS(on)
60V
6.7A
0.15
W
1.39 (0.055)
1.15 (0.045)
0.76 (0.030)
0.51 (0.020)
1.39 (0.055)
1.02 (0.040)
15 16
13
12
14
3
4
5
6
7
17
18
1
2
11
10
8
9
9.14 (0.360)
8.64 (0.340)
1.27 (0.050)
1.07 (0.040)
≈
2.16 (0.085)
7.62 (0.300)
7.12 (0.280)
1.65 (0.065)
1.40 (0.055)
0.33 (0.013)
0.43 (0.017)
Rad.
Rad.
MOSFET
GATE
DRAIN
SOURCE
PADS
4,5
1,2,15,16,17,18
6,7,8,9,10,11,12,13
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFE024 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| IRFE113 | TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 800MA I(D) | DIP |
| IRFE130 | N-Channel Power MOSFET(Vdss:100V,Id(cont):7.44A,Rds(on):0.207Ω)(N溝道功率MOS場效應管(Vdss:100V,Id(cont):7.44A,Rds(on):0.207Ω)) |
| IRFE130 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| IRFE210 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 1.8A I(D) | LLCC |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFE024SCV | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 6.7A 18PIN LCC - Bulk |
| IRFE024SCX | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 6.7A 18LLCC - Bulk |
| IRFE110 | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 18-Pin LLCC 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 3.5A 18PIN LCC - Bulk 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 100V, 3.5A, LCC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.5A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):600mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V ;RoHS Compliant: No |
| IRFE110-JQR-B | 制造商:Semelab (TT electronics) 功能描述: |
| IRFE113 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 800MA I(D) | DIP |
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