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參數資料
| 型號： | IRFH350PBF |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 15 A, 400 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-210AC |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 48K |
| 代理商： | IRFH350PBF |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFH450 | 13 A, 500 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-210AC |
| IRFIZ34-011PBF | 20 A, 60 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRFIZ34-012 | 20 A, 60 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRFIZ34-011 | 20 A, 60 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRFIZ34-010 | 20 A, 60 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFH3702PBF | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRFH3702PBF_10 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRFH3702TR2PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 16A 7.1mOhm 9.6nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFH3702TRPBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 7.1mOhms 9.6nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFH3702TRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:Transistor 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 30V, 16A, PQFN |
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