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參數(shù)資料
型號: IRFHS9301TR2PBF
廠商: International Rectifier
文件頁數(shù): 2/8頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 30V 6A PQFN
特色產(chǎn)品: PQFN 2x2
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 6A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 37 毫歐 @ 7.8A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 2.4V @ 25µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 580pF @ 25V
功率 - 最大: 2.1W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-PowerVQFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 6-PQFN(2x2)
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱: IRFHS9301TR2PBFDKR
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