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參數資料
| 型號： | IRFI630-011PBF |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 6.3 A, 200 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 66K |
| 代理商： | IRFI630-011PBF |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFI630-005PBF | 6.3 A, 200 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRFI630-001 | 6.3 A, 200 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRFI634-011PBF | 5.6 A, 250 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRFI634-006PBF | 5.6 A, 250 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRFI634-004PBF | 5.6 A, 250 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFI630A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-262AA |
| IRFI630B | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET |
| IRFI630BTLTU_FP001 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFI630BTU | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| IRFI630BTU_FP001 | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch B-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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