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參數資料
| 型號： | IRFI640-011 |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 10.5 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 66K |
| 代理商： | IRFI640-011 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFI640-005 | 10.5 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRFI640-004 | 10.5 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRFI644-013PBF | 7.9 A, 250 V, 0.28 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRFI644-010PBF | 7.9 A, 250 V, 0.28 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRFI644-004PBF | 7.9 A, 250 V, 0.28 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFI640A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-262AA |
| IRFI640B | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET |
| IRFI640BTU_FP001 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFI640G | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 9.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFI640GPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 9.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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