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參數資料
| 型號： | IRFI740GLC |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.55ohm, Id=5.7A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d為400V，的Rds（on）\u003d 0.55ohm，身份證\u003d 5.7A） |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 221K |
| 代理商： | IRFI740GLC |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFI740 | Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.55ohm, Id=5.4A) |
| IRFI740G | Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.55ohm, Id=5.4A) |
| IRFI840GLC | Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.85ohm, Id=4.5A) |
| IRFI9540G | HEXFET Power MOSFET |
| IRFI9Z34G | HEXFET POWER MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFI740GLCPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 5.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFI740GPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 5.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFI744G | 功能描述:MOSFET N-Chan 450V 4.9 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFI744GPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 450V 4.9 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFI820 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET POWER MOSFET |
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