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參數資料
型號: IRFI9Z14G
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 5.3A I(D) | SOT-186
中文描述: 晶體管| MOSFET的| P通道| 60V的五(巴西)直| 5.3AI(四)|的SOT - 186
文件頁數: 8/8頁
文件大小: 381K
代理商: IRFI9Z14G
相關PDF資料
PDF描述
IRFI9Z34N TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-220FP
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IRFIP150 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 31A I(D) | TO-247VAR
IRFIP244 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-247VAR
IRFIP254 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-247VAR
相關代理商/技術參數
參數描述
IRFI9Z14GPBF 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 5.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFI9Z24G 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 8.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFI9Z24GPBF 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 8.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFI9Z24N 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRFI9Z34G 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 12 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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