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參數資料
| 型號： | IRFIB7N50A |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | SMPS MOSFET(開關模式電源MOS場效應管) |
| 中文描述： | MOSFET的開關電源（開關模式電源馬鞍山場效應管） |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 96K |
| 代理商： | IRFIB7N50A |
6/15/99
www.irf.com
1
IRFIB7N50A
SMPS MOSFET
HEXFET
Power MOSFET
l
Switch Mode Power Supply ( SMPS )
l
Uninterruptable Power Supply
l
High speed power switching
l
High Voltage Isolation = 2.5KVRMS
Benefits
l
Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
l
Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
l
Fully Characterized Capacitance and
Avalanche Voltage and Current
l
Effective Coss specified ( See AN 1001)
Applications
V
DSS
500V
Rds(on) max
0.52
I
D
6.6A
Applicable Off Line SMPS Topologies:
l
Two Transistor Forward
l
Half & Full Bridge Convertors
l
Power Factor Correction Boost
Notes
through
are on page 8
S
D
G
TO-220 FULLPAK
Parameter
Max.
6.6
4.2
44
60
0.48
± 30
6.9
Units
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torqe, 6-32 or M3 screw 10 lbfin (1.1Nm)
A
W
W/°C
V
V/ns
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
-55 to + 150
300 (1.6mm from case )
°C
Absolute Maximum Ratings
PD - 91810
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFIBC20 | Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=1.7A) |
| IRFIBC20G | Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=1.7A) |
| IRFIBC40G | GT 17C 17#16 PIN RECP BOX |
| IRFIBC40 | Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=1.2ohm, Id=3.5A) |
| IRFIBC40GLC | GT 17C 17#16 PIN RECP BOX |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFIB7N50APBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 6.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFIB7N50L | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRFIB7N50LPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 6.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFIB8N50K | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 6.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFIB8N50KPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 6.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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