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參數資料
| 型號： | IRFIBF30G |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=3.7ohm, Id=1.9A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 900V，的Rds（on）\u003d 3.7ohm，身份證\u003d 1.9A） |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 167K |
| 代理商： | IRFIBF30G |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| IRFIBG20G | 功能描述:MOSFET N-CH 1000V TO-220FP RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFIP044 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 43A I(D) | TO-247VAR |
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