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參數資料
| 型號： | IRFIZ14A |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-262AA |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五（巴西）直| 10A條（丁）|對262AA |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 135K |
| 代理商： | IRFIZ14A |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFIZ30 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-251VAR |
| IRFIZ34 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-251VAR |
| IRFIZ40 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-251VAR |
| IRFWZ10 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-252VAR |
| IRFWZ14 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-252VAR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFIZ14G | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFIZ14G_10 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRFIZ14GPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFIZ20 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-251VAR |
| IRFIZ24 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-251VAR |
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