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參數(shù)資料
| 型號： | IRFL30N20D |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-262 |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 200伏五（巴西）直| 30A條（丁）|至262 |
| 文件頁數(shù)： | 8/11頁 |
| 文件大小： | 175K |
| 代理商： | IRFL30N20D |
IRFB/IRFS/IRFL30N20D
8
www.irf.com
LEA D A SSIGN MEN TS
1 - GATE
2 - D RA IN
3 - S OU RC E
4 - D RA IN
- B -
1.32 (.052)
1.22 (.048)
3X
0.55 (.022)
0.46 (.018)
2.92 (.115)
2.64 (.104)
4.69 (.185)
4.20 (.165)
3X
0.93 (.037)
0.69 (.027)
4.06 (.160)
3.55 (.140)
1.15 (.045)
MIN
6.47 (.255)
6.10 (.240)
3.78 (.149)
3.54 (.139)
- A -
10.54 (.415)
10.29 (.405)
2.87 (.113)
2.62 (.103)
15.24 (.600)
14.84 (.584)
14.09 (.555)
13.47 (.530)
3X
1.40 (.055)
1.15 (.045)
2.54 (.100)
2X
0.36 (.014) M B A M
4
1 2 3
N OTE S:
1 D IME NS IONING & TOLE R ANC IN G P ER ANS I Y14.5M, 1982. 3 O UTLINE C ON FOR MS TO JED EC OU TLIN E TO-220A B.
2 C ON TR OLLIN G D IME NS ION : INC H 4 H EATS IN K & LEA D ME ASUR E MENTS D O NOT IN CLU DE BU R RS .
TO-220AB Part Marking Information
TO-220AB Package Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
PART NUMBER
INTERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
EXAMPLE : THIS IS AN IRF1010
W ITH ASSEMBLY
LOT CODE 9B1M
ASSEMBLY
LOT CODE
DATE CODE
(YYW W )
YY = YEAR
W W = W EEK
9246
IRF1010
9B 1M
A
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFB30N20D | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220AB |
| IRFS30N20DTRR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-263AB |
| IRFL5505 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 3.4A I(D) | SOT-223 |
| IRFM010 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 2.7A I(D) | SOT-223 |
| IRFM014 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2.7A I(D) | SOT-223 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFL31N20D | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFL4105 | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFL4105HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 5.2A 4PIN SOT-223 - Bulk |
| IRFL4105PBF | 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 23nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFL4105TR | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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