型號: | IRFL9110 |
廠商: | International Rectifier |
英文描述: | Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-1.1A) |
中文描述: | 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d- 100V的,的Rds(on)\u003d 1.2ohm,身份證\u003d- 1.1A的) |
文件頁數: | 1/6頁 |
文件大小: | 171K |
代理商: | IRFL9110 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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IRFM140D | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 28A I(D) | TO-254VAR |
IRFM140 | HEXFET TRANSISTOR |
IRFM140U | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 28A I(D) | TO-254VAR |
IRFM150 | HEXFET Transistor(HEXFET 晶體管) |
IRFM340 | HEXFET Transistor(HEXFET 晶體管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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IRFL9110PBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 1.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRFL9110PBF | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:P CH MOSFET -100V 1.1A SOT-223 |
IRFL9110TR | 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 1.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRFL9110TRPBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 1.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRFM | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:N-CHANNEL POWER MOSFET |