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參數資料
| 型號： | IRFM110 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 1.5A I(D) | SOT-223 |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 100V的五（巴西）直| 1.5AI（四）|的SOT - 223 |
| 文件頁數： | 3/3頁 |
| 文件大小： | 129K |
| 代理商： | IRFM110 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFM150D | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 34A I(D) | TO-254VAR |
| IRFM150U | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 34A I(D) | TO-254VAR |
| IRFM150 | N-Channel Power MOSFET(Vdss:100V,Id(cont):34A,Rds(on):0.070Ω)(N溝道功率MOS場效應管(Vdss:100V,Id(cont):34A,Rds(on):0.070Ω)) |
| IRFM150 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| IRFM210A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 770MA I(D) | SOT-223 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFM110A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET |
| IRFM110ATF | 功能描述:MOSFET 100V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFM120A | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| IRFM120AQPKE0002 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRFM120ATF | 功能描述:MOSFET 100V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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