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參數資料
型號: IRFPC42
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 5.9A I(D) | TO-247AC
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 600V的五(巴西)直| 5.9AI(四)|對247AC
文件頁數: 6/8頁
文件大小: 107K
代理商: IRFPC42
6
www.irf.com
IRFPC60LC-P
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
V
DS
L
D.U.T.
V
DD
I
AS
t
p
0.01
R
G
+
-
t
p
V
DS
I
AS
V
DD
V
(BR)DSS
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
10 V
0
400
800
1200
1600
2000
2400
25
50
75
100
125
150
V = 50V
Starting T , Juntion Temperature (
°
C)
E
A
I
TOP 7.2A
10A
BOTTOM 16A
D
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PDF描述
IRFPE32 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 3.4A I(D) | TO-247AC
IRFPE42 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4.8A I(D) | TO-247AC
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IRFPC50 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFPC50A 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFPC50APBF 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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