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參數資料
| 型號： | IRFPE20 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 2.2A I(D) | TO-247AC |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 800V的五（巴西）直| 2.2AI（四）|對247AC |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 119K |
| 代理商： | IRFPE20 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFPE22 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-247AC |
| IRFPC32 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 3.9A I(D) | TO-247AC |
| IRFPF42 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 4.3A I(D) | TO-247AC |
| IRFPF52 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 6.2A I(D) | TO-247AC |
| IRFPG52 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-247AC |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFPE22 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-247AC |
| IRFPE30 | 功能描述:MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFPE30PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFPE32 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 3.4A I(D) | TO-247AC |
| IRFPE40 | 功能描述:MOSFET N-Chan 800V 5.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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