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參數資料
型號: IRFR111
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 4.4A I(D) | TO-252
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 80V的五(巴西)直| 4.4AI(四)|至252
文件頁數: 2/5頁
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代理商: IRFR111
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PDF描述
IRFR13N20DTR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-252AA
IRFR13N20DTRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-252AA
IRFR13N20DTRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-252AA
IRFR18N15DTR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-252AA
IRFR18N15DTRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-252AA
相關代理商/技術參數
參數描述
IRFR1111 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.031ohm, Id=33A)
IRFR11N25D 功能描述:MOSFET N-CH 250V DPAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFR120 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFR-120 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
IRFR120_R4941 功能描述:MOSFET TO-252AA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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