- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄360944 > IRFR121 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 8.4A I(D) | TO-252 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IRFR121 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 8.4A I(D) | TO-252 |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 80V的五（巴西）直| 8.4AI（四）|至252 |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 282K |
| 代理商： | IRFR121 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFU111 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 4.4A I(D) | TO-251 |
| IRFU121 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 8.4A I(D) | TO-251 |
| IRFR210A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 2.7A I(D) | TO-252AA |
| IRFR211 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 2.7A I(D) | TO-252AA |
| IRFR212 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 2.1A I(D) | TO-252AA |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFR1219A | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRFR12N25D | 功能描述:MOSFET N-CH 250V 14A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFR12N25DCPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 250V 14A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFR12N25DCTRLP | 功能描述:MOSFET N-CH 250V 14A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFR12N25DCTRRP | 功能描述:MOSFET N-CH 250V 14A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。