- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄384499 > IRFR13N20 (International Rectifier) Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.235ohm, Id=13A) PDF資料下載
參數資料
| 型號： | IRFR13N20 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.235ohm, Id=13A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 200V的電壓，的Rds（on）最大值\u003d 0.235ohm，身份證\u003d 13A條） |
| 文件頁數： | 1/10頁 |
| 文件大小： | 181K |
| 代理商： | IRFR13N20 |
www.irf.com
1
2/14/00
IRFR13N20D
IRFU13N20D
SMPS MOSFET
HEXFET
Power MOSFET
l
High frequency DC-DC converters
Benefits
l
Low Gate to Drain Charge to Reduce
Switching Losses
l
Fully Characterized Capacitance Including
Effective C
OSS
to Simplify Design, (See
App. Note AN1001)
l
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
Applications
V
DSS
200V
R
DS(on)
max
0.235
I
D
13A
Typical SMPS Topologies
l
Telecom 48V input Forward Converters
Parameter
Max.
13
9.2
52
110
0.71
± 30
2.2
Units
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
A
W
W/°C
V
V/ns
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
°C
Absolute Maximum Ratings
PD- 93814A
Notes
through
are on page 10
D-Pak
IRFR13N20D
I-Pak
IRFU13N20D
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR13N20D | Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.235ohm, Id=13A) |
| IRFU18N15DPBF | SMPS MOSFET |
| IRFU1N60APbF | SMPS MOSFET |
| IRFU210 | Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=2.6A) |
| IRFR210 | Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=2.6A) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFR13N20D | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N D-PAK |
| IRFR13N20DCPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 13A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFR13N20DCTRLP | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 13A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFR13N20DCTRRP | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 13A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFR13N20DPBF | 功能描述:MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 235mOhms 25nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。