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參數資料
| 型號： | IRFR18N15 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | SMPS MOSFET |
| 中文描述： | MOSFET的開關電源 |
| 文件頁數： | 1/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 126K |
| 代理商： | IRFR18N15 |
www.irf.com
1
2/23/00
IRFR18N15D
IRFU18N15D
SMPS MOSFET
HEXFET
Power MOSFET
l
High frequency DC-DC converters
Benefits
l
Low Gate to Drain Charge to Reduce
Switching Losses
l
Fully Characterized Capacitance Including
Effective C
OSS
to Simplify Design, (See
App. Note AN1001)
l
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
Applications
V
DSS
150V
R
DS(on)
max
0.125
I
D
18A
Typical SMPS Topologies
l
Telecom 48V input DC-DC Active Clamp Reset Forward Converter
Parameter
Max.
18
13
72
110
0.71
± 30
3.3
Units
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
A
W
W/°C
V
V/ns
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
°C
Absolute Maximum Ratings
Notes
through
are on page 10
D-Pak
IRFR18N15D
I-Pak
IRFU18N15D
PD- 93815A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR18N15D | SMPS MOSFET |
| IRFU18N15D | SMPS MOSFET |
| IRFR1N60A | Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=7.0ohm, Id=1.4A) |
| IRFU1N60A | ER 6C 6#16S PIN PLUG |
| IRFR214 | 2.2A, 250V, 2.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFR18N15D | 功能描述:MOSFET N-CH 150V 18A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFR18N15DHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 150V 18A 3PIN DPAK - Bulk |
| IRFR18N15DPBF | 功能描述:MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 125mOhms 28nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFR18N15DTR | 功能描述:MOSFET N-CH 150V 18A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFR18N15DTRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 150V 18A 3PIN DPAK - Tape and Reel |
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