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參數(shù)資料
型號(hào): IRFR18N15DTRPBF
廠(chǎng)商: International Rectifier
文件頁(yè)數(shù): 9/11頁(yè)
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 3,000
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 150V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 18A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 125 毫歐 @ 11A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 5.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 43nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 900pF @ 25V
功率 - 最大: 110W
安裝類(lèi)型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3,DPak(2 引線(xiàn)+接片),SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝: D-Pak
包裝: 帶卷 (TR)
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