- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄360945 > IRFR321 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 3.1A I(D) | TO-252AA PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRFR321 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 3.1A I(D) | TO-252AA |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 350V五（巴西）直| 3.1AI（四）|對(duì)252AA |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/6頁(yè) |
| 文件大小： | 280K |
| 代理商： | IRFR321 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR330A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-252AA |
| IRFU310A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 1.7A I(D) | TO-251AA |
| IRFU311 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 1.7A I(D) | TO-251AA |
| IRFU321 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 3.1A I(D) | TO-251AA |
| IRFU330A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-251AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFR322 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 2.6A I(D) | TO-252AA |
| IRFR325 | 制造商:SUNTAC 制造商全稱:SUNTAC 功能描述:POWER MOSFET |
| IRFR330 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:400V N-Channel MOSFET |
| IRFR3303 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 33A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFR3303CPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 33A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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