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參數資料
| 型號： | IRFR322 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 2.6A I(D) | TO-252AA |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 400V五（巴西）直| 2.6AI（四）|對252AA |
| 文件頁數： | 5/7頁 |
| 文件大小： | 117K |
| 代理商： | IRFR322 |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
IRFR320, IRFU320 Rev. B
FIGURE 10. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN
VOLTAGE vs JUNCTION TEMPERATURE
FIGURE 11. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FIGURE 12. TRANSCONDUCTANCE vs DRAIN CURRENT
FIGURE 13. SOURCE TO DRAIN DIODE VOLTAGE
FIGURE 14. GATE TO SOURCE VOLTAGE vs GATE CHARGE
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
N
1.25
1.05
0.95
0.85
0.75
-40
0
40
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
120
1.15
80
I
D
= 250
μ
A
160
B
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
750
600
450
300
150
01
2
5
10
2
5
10
2
C
ISS
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GD
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
C
OSS
C
RSS
5
4
3
2
1
00
1
2
3
4
5
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
g
f
,
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
0
0.3
V
SD
, SOURCE TO DRAIN VOLTAGE (V)
0.6
0.9
1.2
100
10
1
0.1
I
S
,
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
1.5
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V
GS
= 0V
0
4
8
12
16
20
I
D
= 3.1A
Q
G(TOT)
, TOTAL GATE CHARGE (nC)
V
G
,
20
16
12
8
4
0
V
DS
= 200V
V
DS
= 80V
V
DS
= 320V
IRFR320, IRFU320
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR3303TR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 33A I(D) | TO-252AA |
| IRFR3303TRL | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 33A I(D) | TO-252AA |
| IRFR3303TRR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 33A I(D) | TO-252AA |
| IRFU320A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 3.1A I(D) | TO-251AA |
| IRFU322 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 2.6A I(D) | TO-251AA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFR325 | 制造商:SUNTAC 制造商全稱:SUNTAC 功能描述:POWER MOSFET |
| IRFR330 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:400V N-Channel MOSFET |
| IRFR3303 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 33A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFR3303CPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 33A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFR3303HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 33A 3PIN DPAK - Bulk |
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