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參數(shù)資料
| 型號： | IRFR3412 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | SMPS MOSFET |
| 中文描述： | MOSFET的開關(guān)電源 |
| 文件頁數(shù)： | 1/10頁 |
| 文件大小： | 139K |
| 代理商： | IRFR3412 |
www.irf.com
1
1/22/02
IRFR3412
IRFU3412
SMPS MOSFET
HEXFET Power MOSFET
V
DSS
100V
R
DS(on)
max
0.025
I
D
48A
Switch Mode Power Supply (SMPS)
Motor Drive
Bridge Converters
All Zero Voltage Switching
Benefits
Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
Improved Gate, Avalanche and Dynamic
dv/dt Ruggedness
Fully Characterized Capacitance and
Avalanche Voltage and Current
Enhanced Body Diode dv/dt Capability
Applications
Parameter
Max.
48
34
190
140
0.95
± 20
6.4
Units
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100
°
C
I
DM
P
D
@T
C
= 25
°
C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 second
Mounting torqe, 6-32 or M3 screw
A
W
W/
°
C
V
V/ns
°
C
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
-55 to + 175
300(1.6mm from case )
10 lbf
in (1.1N
m)
Absolute Maximum Ratings
Symbol
I
S
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Reverse RecoveryCurrent
Forward Turn-On Time
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25
°
C, I
S
= 29A, V
GS
= 0V
T
J
= 125
°
C, I
F
= 29A
di/dt = 100A/μs
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
on
–––
–––
–––
–––
–––
68
160
4.5
1.3
100
240
6.8
V
ns
nC
A
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
S
D
G
Diode Characteristics
48
190
D-Pak
IRFR3412 IRFU3412
I-Pak
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFU3412 | SMPS MOSFET |
| IRFR3418 | HEXFET Power MOSFET |
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參數(shù)描述 |
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| IRFR3412TRLPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 48A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFR3412TRPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 48A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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