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參數(shù)資料
型號: IRFR3706TR
廠商: International Rectifier
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-252AA
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 20V的五(巴西)直| 75A條(丁)|對252AA
文件頁數(shù): 1/10頁
文件大小: 133K
代理商: IRFR3706TR
www.irf.com
1
7/6/00
IRFR3706
IRFU3706
SMPS MOSFET
HEXFET
Power MOSFET
R
DS(on)
max
9.0m
V
DSS
20V
I
D
75A
Notes
through
are on page 10
D-Pak I-Pak
IRFR3706 IRFU3706
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
DS
V
GS
Gate-to-Source Voltage
I
D
@ T
C
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
I
D
@ T
C
= 100°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
I
DM
Pulsed Drain Current
P
D
@T
C
= 25°C
Maximum Power Dissipation
P
D
@T
C
= 100°C
Maximum Power Dissipation
Linear Derating Factor 0.59 mW/°C
T
J
, T
STG
Junction and Storage Temperature Range
Parameter
Max.
20
Units
V
Drain-Source Voltage
± 12 V
75
53
280
88
44
A
W
W
-55 to + 175
°C
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
1.7
50
110
Units
R
θ
JC
R
θ
JA
R
θ
JA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient (PCB mount)*
Junction-to-Ambient
°C/W
Thermal Resistance
* When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material) .
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994
Applications
l
High Frequency Isolated DC-DC
Converters with Synchronous Rectification
for Telecom and Industrial Use
l
High Frequency Buck Converters for
Computer Processor Power
Benefits
l
Ultra-Low Gate Impedance
l
Very Low RDS(on) at 4.5V V
GS
l
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
PD - 93936A
相關PDF資料
PDF描述
IRFU3706 Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=75A)
IRFR3706 Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=75A)
IRFR3706TRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-252AA
IRFR3706TRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-252AA
IRFR3707Z HEXFET Power MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRFR3706TRL 功能描述:MOSFET N-CH 20V 75A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFR3706TRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 20V 75A 9mOhm 23nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFR3706TRPBF 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 23nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFR3706TRR 功能描述:MOSFET N-CH 20V 75A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFR3707 功能描述:MOSFET N-CH 30V 61A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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