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參數資料
| 型號： | IRFR3708PBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET㈢Power MOSFET |
| 中文描述： | ㈢的HEXFET功率MOSFET |
| 文件頁數： | 1/10頁 |
| 文件大小： | 228K |
| 代理商： | IRFR3708PBF |
www.irf.com
1
SMPS MOSFET
HEXFET Power MOSFET
R
DS(on)
max
12.5m
V
DSS
30V
I
D
61A
Notes
through are on page 9
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
DS
V
GS
Gate-to-Source Voltage
I
D
@ T
A
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
I
D
@ T
A
= 70°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
I
DM
Pulsed Drain Current
P
D
@T
A
= 25°C
Maximum Power Dissipation
P
D
@T
A
= 70°C
Maximum Power Dissipation
Linear Derating Factor 0.58 W/°C
T
J
, T
STG
Junction and Storage Temperature Range
Parameter
Max.
30
Units
V
Drain-Source Voltage
± 12 V
61
51
244
87
61
A
W
W
-55 to + 175
°C
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
1.73
50
110
Units
R
θ
JC
R
θ
JA
R
θ
JA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient (PCB mount)*
Junction-to-Ambient
°C/W
Thermal Resistance
When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material) .
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994
D-Pak
IRFR3708 IRFU3708
I-Pak
High Frequency DC-DC Isolated Converters
with Synchronous Rectification for Telecom
and Industrial Use
Benefits
Ultra-Low Gate Impedance
Applications
Very Low R
DS(on)
at 4.5V V
GS
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
High Frequency Buck Converters for
Computer Processor Power
Lead-Free
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFU3708PBF | Replacement for Texas Instruments part number SN74LS138N. Buy from authorized manufacturer Rochester Electronics. |
| IRFR3709ZCPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRFU3709ZCPbF | HEXFET Power MOSFET |
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| IRFU3711Z | HEXFET Power MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFR3708TR | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 61A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFR3708TRL | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 61A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFR3708TRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 61A 12.5mOhm 24nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFR3708TRPBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 24nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFR3708TRR | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 61A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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